首页科技快讯涨幅超150%！三星HBM4对英伟达供应价格看齐SK海力士！

涨幅超150%！三星HBM4对英伟达供应价格看齐SK海力士！

来源：晰数塔互联网快讯时间：2025年11月28日 16:32

11月27日消息，据韩国媒体dealsite报道，继SK海力士完成了与英伟达的HBM4供应价格谈判之后，三星电子与英伟达的HBM4供应价格谈判也进入了最后阶段。虽然三星电子此前供应的12层堆叠的HBM3E的单价相对较低，但是对于12层堆叠的HBM4的供应价格，三星电子的目标是与SK海力士持平，即维持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供应价格提升了超过150%。

据业内人士透露，英伟达在与SK海力士敲定明年的HBM4供货合同仅一周后，便邀请三星电子参与明年HBM4供应的价格谈判。目前谈判已进入最后阶段，预计年内将做出最终决定。

一位熟悉该公司情况的官员表示：“我们目前内部判断，三星电子的HBM4 的主要性能，包括速度，优于 SK 海力士的产品。”他还表示：“我们之前向英伟达提供的12层堆叠的HBM3E价格相对较低，但我们正在与英伟达谈判，目标是以英伟达与 SK海力士签订HBM4供应合同的价格相当。”

此前的报道显示，SK海力士和英伟达最近达成的明年HBM4供货价格约为500美元中段。考虑到SK海力士12层堆叠的HBM3E的定价在300美元中段，这意味着价格上涨超过50%。虽然SK海力士在台积电生产的HBM4芯片总成本比上一代产品增加了30%，但该公司获得了相应的溢价，从而显著抵消了成本负担。

目前，三星电子的HBM3E芯片价格比SK海力士的同类产品低约30%。一位消息人士解释说：“三星电子此前已为英伟达预留了HBM3E芯片，但由于认证延迟，导致产品无法及时出货，迫使该公司紧急将产品供应给其他大型科技公司。这部分产品不得不以更低的价格出售，从而拉低了平均单价。” 据报道，三星电子的HBM3E芯片供应价格在200美元左右。

显示，三星电子要求对英伟达供应HBM4的价格与SK海力士一致，这也意味着三星希望供应价格也能够提高到超过500美元，相比之前的HBM3E的200美元供应价格提升了超过150%。

需要指出的是，三星电子正在避免导致其在 DRAM 领域失去主导地位的错误，正在利用更先进的1c DRAM 的 HBM4的大规模生产，来确保对SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的竞争优势。而这或许也是三星电子要求对英伟达供应HBM4的价格与SK海力士相当的底气。另一方面，目前明年市场对于HBM4的需求已经超过了市场供应，毕竟目前只有SK海力士和三星电子具有HBM4量产供应能力，所以三星电子自然是不愿意降低单价。

一位半导体行业内部人士表示：“英伟达对HBM4的需求如此之高，以至于三星电子希望以高价确保供应。目前，三星电子没有理由降低单价。” 他补充道：“即使他们降价，价格差异也不会很大。” 这表明三星电子在谈判桌上占据相对优势。

另外，为了满足市场对于HBM4的需求，提升对于SK海力士的竞争力，三星电子计划在明年年底前将其HBM4的1C DRAM产能从目前的每月2万片晶圆提高到每月15万片晶圆。

一位三星电子公司官员解释说：“我们计划明年将 1c DRAM 产能每月增加约 8 万片晶圆”，并且“如果算上现有成熟工艺线改造为 1c DRAM的产能，我们明年每月将能够分配约 15 万个1c DRAM晶圆用于 HBM4。”

HBM 样品分为 WD（工作芯片）→ ES（工程样品）→ CS（客户样品）三类。三星电子已于去年 9 月向英伟达交付了 ES 样品，认证结果将于本月公布。一旦获得批准，必须立即提交量产样品。整个流程完成后，最终认证结果将于明年初公布。

业内人士最初预计，即便三星电子明年初通过最终认证并立即开始量产，产品出货也要等到明年下半年。然而，随着近期市场对英伟达HBM4的需求激增，一些人预测三星电子最早可能在明年第二季度就开始供应芯片。这将打破SK海力士在上半年垄断英伟达HBM4供应的格局，并将两家公司之间的供应差距从半年一次缩小到季度一次。

然而，要实现这一愿景，提早实现大规模量产必不可少。目前，三星电子1c DRAM的HBM4标准良率仅为50%。另一位半导体行业内部人士解释说：“最大的挑战是良率，而非质量。”他还表示：“虽然有人担心发热问题，但目前已得到显著改善。包括英伟达在内的主要客户也更注重速度而非发热，因此不存在重大问题。”三星电子的HBM4核心芯片采用1c DRAM，逻辑芯片则采用4nm工艺制造。虽然这种先进工艺相比竞争对手在速度和能效方面具有优势，但也可能导致发热。

编辑：芯智讯-浪客剑

发布于：广东