SK海力士计划斥资近40亿美元建设其首家美国芯片厂

本文源自:金融界

SK海力士计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建设先进封装厂和人工智能产品研究中心。

这家全球第二大存储芯片制造商表示将在West Lafayette建立其首家美国工厂，计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。

作为所谓HBM芯片的主要设计者和生产商，SK海力士已成为人工智能发展热潮中的关键参与者。该决定是在SK海力士宣布投资美国计划约两年后做出。当时SK集团董事长崔泰源表示将拨出约150亿美元在美国建设芯片设施并支持研究项目。

发布于：北京

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