国产首颗100V/100A超低阻MOSFET——VBL2101N正式发布，打破海外垄断

国产首发100V/100A超低阻MOSFET--VBL2101N

微碧半导体（VBsemi）VBL2101N，一款采用TO-263封装的P沟道沟槽型MOSFET，以-100V耐压、-100A连续电流、11mΩ@10V超低导通电阻，刷新国产功率器件在大电流应用领域的性能天花板。其RDS(on)较国际竞品低15%，直接对标英飞凌IPB320P10LM（33mΩ@10V）和威世SUM90P10-19L（19mΩ@10V），成为工业电机驱动、医疗设备领域等领域的“能效杀手”。

一、技术解码：VBL2101N的四大颠覆性设计

1. 沟槽工艺（Trench）的极限突破

三维电荷平衡技术：通过深沟槽栅极设计，载流子迁移率提升40%，实现11mΩ@10V的行业顶尖水平；

动态特性优化：栅极电荷（Qg）仅65nC，比平面MOSFET降低50%，开关频率支持100kHz（实测数据）。

2. -2V阈值电压的智能驱动

兼容低压控制：支持3.3V/5V MCU直接驱动，省去负压生成电路，PCB面积减少30%；

4.5V~20V宽范围驱动：在48V电池系统中，4.5V驱动下效率仍达98.2%（竞品平均96.5%）。

3. 100A电流的散热革命

TO-263封装强化：铜夹片厚度增至0.8mm，热阻（RθJA）仅40℃/W，可承载10ms脉冲电流200A；

集成温度传感：通过封装内NTC实现过温预警，响应时间

4. 工业级可靠性认证

-55℃~175℃工作范围：通过1000次温度循环测试（JESD22-A104）；

雪崩能量300mJ：在电机堵转测试中，连续承受15次浪涌冲击无失效。

二、应用场景

1. 工业自动化领域

伺服驱动系统

直接驱动50kW交流伺服电机，替换原有IGBT方案，成本降低40%；

在汽车焊接机器人中实测显示，响应时间从1.5ms缩短至0.7ms。

工业PLC与HMI

用于24V继电器驱动模块，静态功耗

支持-2V阈值电压，兼容主流工业MCU（如TI Sitara系列）。

重型机械控制

在港口起重机变频器中，连续工作1000小时无性能衰减；

抗振动性能通过IEC 60068-2-6标准（10Hz~150Hz，5Grms）。

医疗设备领域

医学影像电源

用于MRI梯度放大器，开关噪声降低30dB（实测数据）；

满足IEC 60601-1-2电磁兼容性要求。

便携式医疗设备

在除颤仪储能电路中，效率提升至96%，体积缩小50%；

支持4.5V低电压驱动，延长电池续航20%。

高精度治疗设备

为质子治疗系统电源模块提供±1%的电流精度；

通过100万次开关寿命测试（等效10年连续运行）。

三、实测数据：客户验证案例

某头部电动车企：在OBC中替换进口型号，整机效率从96%提升至98.5%，年节省电费超120万元；

工业机器人厂商：电机响应时间从1.2ms缩短至0.6ms，过温报警率归零。

VBL2101N不仅是参数表的胜利，更是国产功率半导体从“跟随”到“定义”技术路线的转折点。100V/100A不是终点，而是中国功率器件征服高压大电流市场的起点。

技术参数对比表

发布于：河南

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