英飞凌宣布在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破

（转自：SEMI）

自英飞凌官微获悉，近日，英飞凌宣布其在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

据悉，作为功率系统领域的领导者，英飞凌已经掌握全部三种材料的相关技术：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes  Schoiswohl表示，英飞凌全面扩大的300mm  GaN生产规模将帮助公司更快地为客户提供更高价值的产品，满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求，同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。

据了解，英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进，效率也显著提高，因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高2.3倍。

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