黄仁勋催单AI芯片，台积电开启“疯狂建厂”模式

（来源：IT之家）

IT之家 12 月 25 日消息，科技媒体 Benzinga 昨日（12 月 24 日）发布博文，报道称英伟达首席执行官黄仁勋于 11 月访问台积电，提出了对更先进 AI 芯片的迫切需求，而这一举动直接引爆了台积电的新一轮建厂热潮。

消息源称台积电为了确保明年能有更多新产能上线，已紧急敦促上游设备供应商缩短交货时间。这一“催单”效应直接导致供应链进入“战时状态”，预计相关设备厂商的高强度出货将至少持续到 2026 年第二季度。

消息称台积电已经展开大规模的建厂行动，位于新竹和高雄的工厂正集中火力建设 2 纳米生产线，南科厂区也在同步扩增 2 纳米产能。针对现有 3nm 制程，台积电南科 18 厂持续扩产；而更为先进的 1.4 纳米厂也已在中科动工。

除了制造晶圆，台积电还将扩张重点放在了“先进封装”技术上，特别是 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）产能。在 AI 芯片领域，单纯提升芯片制程已不足以满足需求，必须通过先进封装将处理器与高带宽内存（HBM）紧密集成。因此，台积电正在大举投资建设先进封装设施，试图消除这一制约 AI 芯片出货量的关键瓶颈。

台积电在美国的业务也异常活跃目其位于亚利桑那州的首座晶圆厂已投入量产，另外两座工厂也处于开发阶段。基于如此激进的全球扩张计划，行业专家预测，台积电明年的资本支出（CapEx）将达到惊人的 480 亿至 500 亿美元（IT之家注：现汇率约合 3372.07 亿至 3512.57 亿元人民币）。

这笔巨资不仅将支撑台积电的产能扩张，更将让整个半导体设备供应链在 2026 年前都维持满负荷运转的繁荣景象。

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