首页科技快讯 ASML、尼康同时官宣新设备，光刻机市场火药味渐浓？

ASML、尼康同时官宣新设备，光刻机市场火药味渐浓？

来源：晰数塔互联网快讯时间：2025年07月24日 23:09

芯片制造流程极为复杂，光刻工艺则是其中最关键的一环，光刻确定了芯片的关键尺寸，在整个芯片制造过程中约占据整体制造成本的35%。可以说光刻机的技术水平会直接影响半导体制造工艺的精度和效率，是制造出足够微小、精确、高效率的集成电路的关键因素。

当前全球光刻机市场呈现出明显的寡头垄断格局，荷兰的阿斯麦（ASML）处于绝对领先地位，日本的尼康（Nikon）和佳能（Canon）紧随其后。近期，ASML发布财报宣布已交付首台新款光刻机系统，以及尼康宣布其数字光刻系统DSP-100开始接受订单，引发行业关注。

ASML主导高端市场，High-NA EUV量产加速

光刻机是芯片制造流程中光刻工艺的核心设备，主要用途是生产集成电路，将设计好的集成电路模板复刻到硅晶圆上。EUV光刻机是目前最先进的光刻机类型，能够实现更小的芯片制程，可用于7nm及以下先进制程的芯片制造。但是EUV光刻机结构复杂，生产难度高，因此售价昂贵。

全球光刻机霸主ASML是全球唯一一家能制造高端极紫外（EUV）光刻机的企业，也是唯一能提供从EUV（2nm以下）到DUV（14nm及以上）全系列光刻机的厂商。

7月16日，ASML公布2025年Q2财报。财报显示，2025年第二季度，ASML实现净销售额77亿欧元，毛利率为53.7%，净利润达23亿欧元。第二季度的新增订单金额为55亿欧元，其中23亿欧元为EUV光刻机订单。本季度售出全球光刻机67台，EUV光刻机11台，本季度营收中最大营收贡献来自EUV光刻机。

ASML仍强调AI是其增长核心动能。全球半导体产业对先进制程芯片的需求不断提升，尤其是人工智能、高性能计算等领域对高算力芯片的需求日益旺盛，英伟达、台积电、英特尔等客户也在持续扩建AI数据中心，都推动了对ASML先进光刻机的采购。

此外，ASML还官宣在第二季度成功交付全球首台顶级光刻机TWINSCAN EXE:5200B系统。据报道，首台买家是英特尔，一台售价近30亿元人民币。

据了解，TWINSCAN EXE:5200B属于第二代高数值孔径（High NA）EUV光刻机，是ASML基于初代High NA EUV光刻机EXE:5000深度优化后的进阶版本。

在性能方面，TWINSCAN EXE:5200B每小时处理晶圆数量超过220片，比初代EXE:5000每小时能够处理超过185片晶圆，芯片生产效率得到显著提升。此外，TWINSCAN EXE:5200B的数值孔径为0.55，与前代EUV光刻机0.33数值孔径的透镜相比，精度实现了质的飞跃。

ASML在光刻机技术上一直走在行业前沿，High-NA EUV光刻技术被公认为是面向2纳米乃至埃米级工艺节点的核心支撑技术，预计在未来10-20年都将引领半导体晶圆制造工艺的发展方向。

尼康佳能另辟蹊径，瞄准先进封装市场

日本方面，尼康（Nikon）和佳能（Canon）在紫外光（UV）光刻机市场有一定份额。尼康主要生产除EUV外的其他光刻机，佳能主要生产i-line光刻机。而随着成熟制程（28nm及以上）和先进封装（Chiplet）需求提高，尼康和佳能也开始研发大尺寸、无掩膜设备。

尼康成立于1917年，在光学镜头和精密器械领域有着深厚积累，目前在光刻机市场采取差异化竞争策略。7月16日，尼康宣布其首款面向半导体后道工艺的光刻系统DSP-100于当月起接受订单，预计2026财年内上市。

DSP-100融合尼康的高分辨率技术与FPD曝光设备的多镜组协同优势，采用无掩膜SLM（空间光调制器）技术，直接将电路图案投射至基板，无需传统光掩膜,可节省超过40%的开发成本。此外，DSP-100支持1μm（1000nm）的线宽/间距（L/S）分辨率，重合精度≤±0.3μm，满足当前主流先进封装的线路精度要求，并且能够支持最大600mm见方的大型基板。

DSP-100主要聚焦扇出型面板级封装（FOPLP），适用于AI芯片、高性能计算（HPC）等领域。台积电、英特尔、三星等行业巨头正积极采用FOPLP技术以克服300mm晶圆的成本和面积限制，DSP-100能有效解决多芯片集成的技术瓶颈。

据报道，其已获得多家头部封测厂的订单意向，尼康预计该设备在2026财年上市后，将迅速抢占FOPLP设备市场20%的份额。

此外，佳能主要生产i-line光刻机，2024年半导体用光刻机出货233台，营收约16.5亿美元。2023年10月，佳能发布了全球首台商业化纳米压印光刻系统FPA-1200NZ2C，2024年9月，日本佳能公司宣布，成功交付首台新型纳米压印光刻机，送往美国得克萨斯电子研究所用于芯片制造的研究与开发工作。

佳能在光刻技术研发上侧重于纳米压印光刻（NIL）技术，该项技术无需EUV就能制造5纳米芯片，通过类似“盖章”的方式，直接在硅衬底等衬底上利用物理作用构造纳米尺寸图形，相比传统光刻技术，其设备结构相对简单，减少了设备体积和技术门槛。

据悉，佳能量产的FPA-1200NZ2C纳米压印光刻系统已可用于生产5nm芯片，佳能宣称其NIL设备已实现每小时130片晶圆的吞吐量，并计划2026年提升至180片，逐步逼近EUV水平。

结语：

光刻机决定着芯片的制造精度和性能上限，但同时，光刻机的研发生产门槛极高，涉及光学、机械、材料等多学科尖端技术，全球仅少数企业能掌握核心技术。随着AI、5G、新能源汽车等领域的爆发式增长，市场对先进芯片的需求持续攀升，进一步凸显了光刻机在全球产业链中的战略地位。

我国在光刻机领域起步相对较晚，与国际领先水平存在一定差距，尤其在高端EUV光刻机等关键设备上仍依赖进口。不过近年来，国家已将光刻机及半导体设备产业纳入重点发展领域，通过政策引导（如将KrF/ArF光刻机纳入《首台(套)目录》）、资金支持（国家大基金三期投入3440亿元）、产学研协同（长三角光刻机联盟）等多种方式，全力推动技术攻关与产业升级。相信在持续的投入与努力下，我国将会实现光刻机领域的技术自主可控，构建起安全可靠的半导体设备产业链，为全球半导体产业发展贡献中国力量。

发布于：广东