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英伟达计划开发HBM基础裸片：采用3nm工艺，计划2027H2试产，重塑市场格局

来源：晰数塔互联网快讯时间：2025年08月19日 00:34

（来源：超能网）

今年4月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。双合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，其中台积电负责生产基础裸片（Base Die）。不同于以往的HBM产品，HBM4将迎来定制设计，英伟达也计划在明年基于Rubin架构GPU的下一代AI加速器中使用。

据TrendForce报道，传闻英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片，这在供应链中泛起了涟漪，因为很可能重塑下一代HBM格局。预计英伟达的自研HBM基础裸片采用3nm工艺制造，计划在2027年下半年进行小批量试产。

有分析指出，英伟达此举表明了其朝着定制HBM设计的基础裸片方向迈进，或许会将部分GPU功能集成到基础裸片中，旨在提高HBM和GPU的整体性能。英伟达可能会在2027年上半年首先采用SK海力士供应的标准HBM4E，然后从2027年下半年至2028年期间过渡到自己的定制HBM4E设计。

目前SK海力士以以内部芯片设计主导HBM市场，但是要实现10Gbps以上的I/O速率，需要先进制程节点的支持，比如台积电的12nm或以下的工艺来制造芯片。由于存储器制造商缺乏复杂的基础芯片IP和ASIC设计能力，所以英伟达需要开发专用的HBM基础裸片，利用NVLink Fusion提供更多模块化解决方案，并加强生态系统控制。

有消息人士透露，英伟达会将UCIe接口集成到HBM4中，以实现GPU和CPU直接连接，这么做也将大大增加设计复杂性。最大的受益者可能是台积电，与主要芯片设计公司的密切合作，加上不断改进的制程工艺，使其处于人工智能快速发展的核心地带。

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