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存储芯片：AI驱动下的超级周期与产业链

来源：晰数塔互联网快讯时间：2025年11月12日 02:21

（来源：策略优基基）

2025年下半年，全球存储芯片市场已正式迈入由AI驱动的“超级周期”，其最显著的特征是“短缺”与“涨价”。与2024年原厂减产带来的短暂上行不同，本轮增长核心源于AI需求的爆发式增长。这一趋势不仅推动行业周期上行，更通过高端产能转移加剧供需失衡，催生新一轮存储超级周期。

一、存储芯片核心定义与分类

存储芯片（又称半导体存储器）是用于存储数字数据和信息的半导体器件，是各类电子设备实现数据留存与调用的核心组成部分。它的核心功能包括数据的写入、读取及长期或临时保存。按数据保存特性主要分为两类：

易失性存储芯片：需持续供电才能保持数据，若没有保存则断电后信息丢失，主要用于设备运行时的临时数据缓存，如动态随机存取存储器（DRAM）、静态随机存取存储器（SRAM）。其中DRAM是当前AI算力场景的核心耗材，HBM（高带宽内存）作为其高端形态，通过多层堆叠技术实现带宽跃升。

非易失性存储芯片：无需持续供电即可长期保存数据，适用于长期数据存储，常见类型如NAND Flash，常用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘等大容量数据储存，以及随机快读快取，容量较小的NOR flash存储。

二、2025年存储芯片两轮涨价周期

2025年存储芯片市场受AI需求与供需结构双重驱动，呈现清晰的两轮涨价周期，具体节点与动因如下：

第一轮涨价（2025年Q2）：以NAND Flash为核心驱动。原厂闪迪于4月对NAND flash产品全面提价，根据TrendForce数据显示，第二季NAND Flash Wafer合约价季增10%-15%，Client SSD价格季增3%-8%（Enterprise SSD因产能调节价格持平）。此轮涨价主因是2024年Q4原厂减产效应显现，叠加PC（Windows 10停止支持换机潮）、智能手机及数据中心的库存回补需求集中释放。

第二轮涨价（2025年Q3-Q4）：NAND与DRAM双品类共振。NAND flash端经上半年减产去化，闪迪、长江存储等陆续发布涨价函，行业预测Q3价格涨3%-8%、Q4续涨5%-10%；DRAM端因三星、美光将产能转向HBM，传统DDR4/LPDDR4X供应短缺，Q3一般型DRAM价格季增10%-15%、Q4预计涨8%-13%。值得注意的是，11月市场数据显示DDR5现货价格单周涨幅达30%，HBM领域更是迎来突破性进展——SK海力士与英伟达达成2026年HBM4供应协议，单价560美元/颗，较HBM3E涨幅超50%，远超行业预期。

两轮周期清晰反映出：AI技术普及与高端产能转移已取代传统供需调节，成为决定存储芯片价格走势的核心变量。

三、存储芯片产业链全景架构

存储芯片产业链呈垂直分工架构，从上游基础支撑到下游应用落地形成完整生态，各环节在AI浪潮下呈现新的发展特征：

1．上游：核心基础支撑层

为产业链提供关键材料、设备及IP支撑，技术壁垒高，国产化替代需求迫切：

半导体材料：12英寸硅片（存储芯片主流基底）、光刻胶、电子特气、CMP抛光材料等，高端领域仍依赖进口，但安集科技的氮化硅抛光液已应用于长鑫存储先进制程。

核心设备：涵盖DUV光刻机、刻蚀设备、PVD/CVD沉积设备，TSV（硅通孔）、Hybrid Bonding等先进封装设备因HBM需求激增成为增长点。

IP核设计：提供存储接口IP（如DDR5）、控制器IP等，是芯片设计效率提升的关键。

2. 中游：制造与封测核心层

存储芯片的设计、制造及封装测试，连接上下游的核心环节，技术与资本密集特征显著：

芯片设计：芯片设计是半导体产业链的核心环节，是决定芯片性能、功耗、成本的关键步骤。其核心目标是在满足性能指标的同时，实现高集成度与高可靠性。

芯片制造：主要有DRAM和NAND Flash等，技术壁垒与资本密集度体现强烈。国际龙头为三星、SK海力士、美光。三大巨头主导DRAM和NAND市场。从技术迭代来看，DRAM和NAND技术创新加速，尤其是HBM（高带宽内存）显著提升数据中心的数据处理速度，是AI应用的核心部件。具体来说，HBM属于DRAM存储芯片的一种，呈现出多层DRAM/DDR芯片垂直堆叠的形态。

封装测试：封装测试是连接芯片设计制造与终端应用的关键纽带，对保障芯片性能、可靠性及商业化落地至关重要。

3. 下游：终端应用驱动层

AI场景成绝对增长引擎

AI算力/数据中心场景：这是当前增长最强劲的领域。AI训练和推理催生了对HBM和高容量DRAM（DDR5）的巨大需求。

消费电子场景：目前手机存储和PC端是传统主力市场。Windows 10停止支持推动PC换机潮，Client SSD均价季增8%；手机存储容量普遍提升至1TB以及512GB成主流支撑需求。

智能汽车场景：随着自动驾驶级别提升和智能座舱普及，车规级存储芯片需求快速增长。自动驾驶域控制器需配备高可靠性DRAM。