美光已交付 HBM3E 内存样品:可达 1.2 TB/s 速度,且成本更低
IT之家 9 月 28 日消息,SK 海力士的 HBM3E 内存迎来新竞争对手--美光。美光科技表示新款 HBM3E 同样可以达到 1.2 TB / s 的速度,而且已经向英伟达等客户交付样品,预估明年会有订单入账。
美光的 HBM3E 内存采用 eight-tier 布局,每个堆栈为 24 GB,采用 1β 技术生产,具备出色的性能。
美光表示旗下的 HBM3E 内存在提供和友商相同级别的性能之外,其成本会比其它友商更低。美光表示明年开始商业出货,目前正在寻求这些产品的认证,以满足英伟达的要求。
IT之家注:HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直连接多个 DRAM,可显著提升数据处理速度,HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展(Extended)版本。
发布于:山东
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