华为公司申请存储器专利，主要用于提升存储单元的集成密度

本文源自:金融界

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“存储器、存储器的控制方法和形成方法、电子设备“，公开号CN117546624A，申请日期为2021年11月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种存储器、存储器的控制方法和形成方法、电子设备。涉及半导体存储器技术领域。主要用于提升存储单元的集成密度。该存储器包括衬底和集成在衬底上的至少一个存储单元，该存储单元包括第一晶体管和第二晶体管，也就是说该存储单元属于一种2T0C的gain‑cell的单元结构；另外，存储单元还包括第一控制线、第二控制线和第三控制线，第一晶体管的第一极与第二晶体管的栅极电连接，第一晶体管的第二极与第二晶体管的第二极电连接，第一晶体管的栅极与第一控制线电连接，第二晶体管的第一极与第二控制线电连接，电连接的第一晶体管的第二极和第二晶体管的第二极均与第三控制线电连接。也就是通过减少控制线数量，以提升存储密度。

发布于：北京

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