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存储芯片涨价潮下的国产替代机遇

来源：晰数塔互联网快讯时间：2025年09月30日 21:06

来源：妙投张博

根据最新市场动态，2025 年第三季度存储芯片价格呈现全面上涨态势，不同品类涨幅差异显著，部分产品价格已接近历史高位。

内存（DRAM）方面，DDR4内存受厂商减产和需求刚性影响，价格涨幅最为突出。32GB DDR4 内存价格从年初的不足 300 元涨至 500 元以上，半年内涨幅超 66%。HBM内存作为 AI 芯片的核心组件，价格涨幅最为惊人，HBM2e 价格从 2024 年第三季度的 25 美元 / GB 涨至 2025 年第二季度的 45 美元 / GB，半年涨幅达 80%。HBM3e 价格更是突破 100 美元 / GB，成为存储市场的 “价格标杆”。

存储卡（NAND）方面，消费级 SSD 硬盘价格在一个半月内上涨40%，例如 350 元的 1TB 硬盘涨至 550 元。企业级高容量 SSD硬盘（如 8TB 以上）因数据中心需求激增，价格涨幅超过50%，例如采用 3D NAND 堆叠技术的产品需求旺盛，16TB SSD 价格从年初的 2500 元涨至 3800 元，涨幅 52%。

一、为什么近期存储芯片的涨幅这么大？

供需失衡是涨价的核心！最近1年，AI 服务器、数据中心对存储的需求呈指数级增长。单台 AI 服务器需配备 3TB 以上内存和 PB 级存储，远超传统服务器的配置。此外，全球云厂商（如阿里、腾讯）2025 年资本支出同比增长超 50%，进一步加剧了存储芯片的抢购潮。

与此同时，存储厂商为了更好的适配高端产品需求，将 70% 以上的产能转向 HBM 和 DDR5，导致传统 DRAM 和 NAND 供给锐减。例如，三星计划年底全面停产 8GB/16GB DDR4 模组，SK 海力士将 DDR4 产能占比从 30% 压缩至 20%。

存储芯片因为缺货造成的涨价，叠加贸易摩擦，加速了国产替代的进程。存储是我国半导体行业非常鲜明的短板，无论是在晶圆制造环节，还是在解决方案环节，海外厂商均占据了主要的市场份额。在晶圆环节，2024Q4 三星、海力士、美光、南亚科技以及华邦电子占据 95.7%的 DARM 市场份额，三星、海力士、铠侠、美光、西部数据等 top5 厂商占据 92.7%的 NAND Flash 市场份额。虽然目前国产化率只有 8%，国产替代空间巨大。

二、存储芯片国产替代的“双子星”

长江存储和长鑫存储是中国存储芯片产业的双核心引擎，分别在 NAND 闪存和 DRAM 内存领域实现了从技术突破到产业主导的跨越。

长江存储是3D NAND 全球领跑者，自主研发的Xtacking 架构实现存储单元与外围电路的垂直分离，量产的 232 层 3D NAND 芯片等效存储密度达 294 层，位密度 15.03 Gb/mm²，超过三星、SK 海力士的 14.5-14.75 Gb/mm²，成为全球首个突破 15 Gb/mm² 密度的厂商。国家大基金持股超 22%，2025 年估值达 1600 亿元。长江存储消费级品牌 “致态” 在京东双 11 SSD 销量超越三星。长江存储 2026 年目标全球 NAND 市占率 15%，超越美光（当前 16%）进入前三。

长鑫存储是DRAM 国产替代先锋，所生产的 DDR5 良率达 80%，单位晶圆成本比韩国厂商低 15%-20%，性能对标国际大厂工艺。在HBM实现突破，2025 年 9 月向华为交付 G4 制程（16nm）HBM3 样品，计划 2026 年量产，技术代差缩小至 3 年。长鑫存储 2025 年 DRAM 产量预计 273 万片，成为全球第四大 DRAM 厂商，仅次于三星、SK 海力士、美光。

目前这两家公司的产能都在扩产，长江存储在2025 年 9 月成立长存三期（武汉）集成电路公司，注册资本 207.2 亿元，规划月产能 15 万片，聚焦 192 层以上 3D NAND 及 Xtacking 4.0 架构，预计带动设备投资超千亿元。2025 年底前将现有产能提升至 15 万片 / 月，2026 年启动三期招投标，分三阶段扩产 5-6 万片，2028 年三期达产后总产能将达 30 万片 / 月，目标占据全球 15% 市场份额。

长鑫存储二期工厂 2025 年 Q4 试生产，新增产能 8 万片 / 月，聚焦 15nm 以下先进制程，DDR5 产品性能对标三星 K4X8G325EB，带宽达 6400Mbps。三期工厂已启动设备采购，目标 2026 年扩产 6-7 万片 / 月，设备采购需求约 60 亿美元，刻蚀设备由北方华创主导供应，国产化率超 50%。

三、产业链重点公司

1、中微公司

中微公司的等离子体刻蚀设备在长江存储供应链中占据超 40% 的份额，是 232 层 3D NAND 量产的关键供应商。其设备覆盖高深宽比刻蚀、金属互连刻蚀等环节，较国际竞品降低 50% 缺陷率，已应用于长江存储企业级 SSD 芯片制造。

刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺，刻蚀机为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀通过物理及化学的方法，在晶圆表面衬底及其他材料上，雕刻出集成电路所需的立体微观结构，将前道掩模上的图形转移到晶圆表面。

在长江存储首条全国产化产线（设备国产化率 45%）中，中微 28nm 刻蚀设备通过全流程验证，成功替代应用材料、东京电子的进口设备。2024 年，中微公司向长江存储交付85 台刻蚀设备，包括适配 5nm 工艺的高端机型，合同金额超 20 亿元。2025 年 Q1，双方再签 20 台订单（金额约 5 亿元），同比翻倍，进一步巩固技术合作深度。

中微公司通过技术拓展，成为长江存储薄膜沉积领域的战略供应商，在 3D NAND 制造中承担关键材料填充任务，2025 年 8 月推出的 Preforma Uniflex™ CW 设备，采用 5 腔双反应台设计，可同时处理 10 片晶圆，在金属钨填充工艺中实现99.9% 的阶梯覆盖率，填补了国内高端 LPCVD 设备空白。该设备已导入长江存储产线进行工艺验证，目标替代东京电子的同类产品。

2、拓荆科技

拓荆科技的薄膜沉积设备在长江存储供应链中占据超 25% 的份额，是 232 层 3D NAND 量产的关键供应商。

在存储芯片向 3D 封装演进的趋势下，拓荆科技通过混合键合技术深度参与长江存储 HBM 研发。键合技术旨在实现芯片间的电气互连、机械支撑以及热管理等功能，是构建复杂集成电路系统的基础。混合键合是一种先进的集成电路封装技术，其关键特征是通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球互连，从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装，达到三维集成的目的。

全球混合键合设备市场主要由海外企业主导。BESI 凭借 67%的市占率稳居全球混合键合设备市场主导地位，其设备广泛应用于 3DIC、MEMS 和先进封装等领域，尤其在高端市场具有显著优势。

公司较早布局混合键合设备赛道，是国内首家量产混合键合设备的厂商。面向三维集成领域，公司持续研发投入，强化先进键合设备和配套的量检测设备等系列产品的关键核心技术，提升设备性能，并不断拓宽公司产品布局，推进新产品的研发与产业化应用，为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

在长江存储首条全国产化产线（设备国产化率 45%）中，拓荆 PECVD 设备承担了 60% 的介质薄膜沉积任务，成功替代应用材料、东京电子的进口设备。2024 年，拓荆向长江存储交付85 台 PECVD 设备，合同金额超 20 亿元，2025 年 Q1 再获 15 台订单（金额约 4 亿元），同比翻倍。

3、雅克科技

雅克科技的半导体前驱体，是一类携带有目标元素（如硅、镓、铟、磷等）、具备特定化学活性与物理特性的高纯度化合物，形态涵盖易挥发液态、气态或固态。其核心功能是作为薄膜沉积工艺的 “原料”，通过精准的化学反应在硅晶圆表面形成芯片所需的功能薄膜层，相当于芯片微观结构的 “分子积木”。雅克科技的前驱体需结合半导体制造中的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）工艺使用。

雅克科技为长江存储提供适配 200 层以上先进制程的专用前驱体，全球仅 3 家企业能实现该技术水平。其前驱体纯度与稳定性可使长江存储芯片的存储密度提升 48%，直接支撑长江存储 2TB 等大容量芯片达到国际对标水平，是长江存储 3D NAND 从低层数向 200 层以上迭代的关键材料保障。

雅克科技的半导体前驱体在长鑫存储的应用，深度覆盖DRAM 芯片全制程制造，从成熟工艺到先进节点，从传统存储到高端 HBM（高带宽存储器），形成 “定制化产品 + 全流程适配 + 技术协同” 的立体合作格局。雅克科技的前驱体主要应用于长鑫存储 DRAM 芯片制造的化学气相沉积（CVD）与原子层沉积（ALD）两大核心工艺环节，直接决定芯片的集成度与可靠性。

雅克科技针对长鑫存储的 DRAM 芯片制造需求，提供硅基、金属基、High-k（高介电常数）三大类核心前驱体，精准匹配不同工艺环节的材料特性要求。

随着长江存储 3D NAND 产能扩张、长鑫存储 DRAM 产能预计 2025 年跃升至月产 20 万片，雅克科技的前驱体订单量同步增长，2025 年针对长江存储的前驱体订单同比增幅已达 120%，形成 “存储厂商产能扩张 - 雅克科技订单增长” 的正向循环。

注意：以上均为长期逻辑

发布于：北京