Galaxy S24 系列有望率先装备，三星展示 LLW DRAM

IT之家 11 月 30 日消息，三星公司今天发布公告，针对设备端本地运行 AI 的需求，特别研发了 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能优于现有的 LPDDR 解决方案。

LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路，从而实现更高的效率和延迟。

三星半导体今天通过官方 X 平台账号，发布了一段关于 LLW DRAM 的介绍视频，该 DRAM 刻适用于智能手机、笔记本电脑和 VR 头显。

三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM，然后在 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解决方案。

除此之外，该视频还展示了一款集成了 LLW DRAM 的手机，因此，未来的 Galaxy 设备似乎可能会采用相同的解决方案，从而提高性能。

广告中展示的手机确实与当前一代三星设备非常相似，应该是即将推出的 Galaxy S24 系列，IT之家附上视频中的手机截图如下：

三星也不是第一家实施 LLW 的公司，苹果的 Vision Pro 头显使用扇出晶圆级封装（FOWLP），将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装在一起。

发布于：山东

相关推荐

三星Galaxy S24系列内部代号曝光：来源于缪斯女神
三星Galaxy S24系列手机第四家电池供应商曝光：印度Navitasys
消息称三星高斯大模型支持中文，用于国行 Galaxy S24 系列手机
向华为苹果学习？曝三星Galaxy S24系列支持双向卫星通信功能，1月份
消息称三星Galaxy S24系列手机 1 月 17 日发布，1 月 30 日开售
三星 Galaxy S24/Ultra韩国版手机现身Geekbench
消息称三星Galaxy S23 FE和S24系列欧洲版将搭载Exynos芯片
三星 Galaxy S24 Ultra 手机爆料：M13 OLED 屏幕+16GB 内存
比前代提升 85%！三星 Galaxy S24 Ultra 手机 GPU 性能曝光
4000mAh大幅落后友商，三星Galaxy S24手机电池容量曝光

网址: Galaxy S24 系列有望率先装备，三星展示 LLW DRAM http://www.xishuta.com/newsview99870.html