ASML NXE:3800D导入全新工件台运动系统,效率提升22%
3月28日消息,据荷兰媒体Bits & Chips报导,光刻机大厂ASML确认,其新推出的第三代的标准型(0.33 NA)EUV光刻机NXE:3800E导入了部分下一代High-NA EUV光刻机的技术,工作效率提升。
本月中旬,ASML已开始对外交货NXE:3800E,虽然还是0.33数值孔径透镜,但性能和精度相比上一代有了进一步的提升,晶圆处理速度也达到了每小时处理195片晶圆,相比NXE:3600D每小时约160片的处理速度提升了22%,并且有可能提高到每小时220片。新设备可达到小于1.1nm的晶圆对准精度。可以支持未来几年内的3nm及2nm芯片制造。
ASML表示,下代High-NA高数值孔径EUV将采用更宽光锥,在EUV反射镜撞击角度更宽,晶圆曝光时导致光损失,因此ASML提高光学系统放大倍率,将光线入射角调回合适大小。不过光罩尺寸不变,增加光学系统放大倍率,会因曝光场减少影响晶圆量。ASML仅一个方向将放大倍数从四倍提升至八倍,使曝光场仅缩小一半。为了降低曝光时间,提升工作效率,则有必要提升High-NA EUV光刻机的工件台的运动速率。
与此同时ASML工程师开发同时兼容0.33NA数值孔径系统的新款快速工件台运动系统,对NXE:3800E来说,光学元件与之前的NXE:3600D机型基本相同,其工作效率的提升来自每次曝光时晶圆移动速度的提升。与NXE:3600D相比,NXE:3800E的工件台移动速度提升了两倍,曝光步骤总时间也减少了约一半。
NXE:3800E效率的提升,也将使得其能耗得到节省,ASML发言人表示,NXE:3800E整体能耗可节省约20%~25%。
编辑:芯智讯-浪客剑
发布于:广东
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