首页 科技快讯 强推3nm明年量产,参数甚至不及英特尔7nm,面对台积电的三星开始焦虑?

强推3nm明年量产,参数甚至不及英特尔7nm,面对台积电的三星开始焦虑?

来源:晰数塔互联网快讯 时间:2021年07月14日 19:01

7月14日消息,在今日举办的2021年国产IP与定制芯片生产大会中,三星电子向外界进一步透露了旗下晶圆代工的制程规划。三星电子表示,旗下3nm制程将在2023年投产,这与上月初三星在2021年线上技术论坛上宣布其3纳米制程预计在2022年投产似乎不符。

真假3nm?

关于两个量产时间,三星也给出了自己的解释。三星表示此前宣布将于2022年投产的3nm制程是3GAE版本,也就是3nm gate-all-around early,三星把这个版本称为先行试错版。

至于2023年正式量产的3nm版本则是3GAP,即3nm gate-all-around plus,也就是3nm工艺的强化版本,二者在量产率和性能上有所差别。关于两种3nm版本,三星则表示一直在与客户进行沟通,保证3nm工艺能在2022年如期量产。

关于3GAE和3GAP两个版本,三星最早在2019年5月份提出,当时三星表示与7nm LPP工艺相比,3GAE的性能提高35%,功耗降低50%,面积减少45%。

对于三星3nm的真正实力,Digitimes网站也给出了详细的数据分析,结合台积电和英特尔发布的标准参数可知,台积电的3纳米工艺可以做到2.9亿颗/平方毫米,三星的3纳米工艺只有1.7 亿颗/平方毫米,参数上甚至连英特尔的7nm工艺都比不上。

今年6月底,三星宣布旗下采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET,GAA)的3纳米制程技术已正式流片,本次流片是与新思科技合作完成的,目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法,使其在功率和性能上均实现最大化。

三星3nm制程在技术上不同于台积电与三星,采用的GAA的结构,三星表示,采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET,GAA)的3纳米制程技术性能上要优于台积电的鳍式场效应架构(FinFET)。GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。

对于(Gate-All-Around FET,GAA)架构,台积电在2020年的技术研讨会上也表示,将在2nm节点引入全环绕栅极(GAA)技术,现阶段台积电仍然将采用鳍式场效应架构(FinFET)。

面对台积电,三星恐难超越

从时间点来看,台积电的3nm制程量产时间要早于三星。从技术上看,台积电3nm仍然是采用的FinFET架构,而三星则采用全环绕栅极技术(GAA)。

作为全球唯二能做到5纳米制程以下的半导体晶圆代工厂,双方将在3nm制程上全方位竞争。

目前三星与台积电的战场主要集中在5nm,但显然无论是从营收还是客户数量上,三星几乎都是处于劣势,这与近年来双方的路线有关,三星近些年的路线演进,开始走完整迭代时的大步子,相对比较激进。

台积电的晶圆代工经过几十年的沉淀,几乎在每个技术节点上都采用了最稳健的方案,在处于行业优势地位下,台积电并不需要走三星相对激进的路线,而短期内这种优势还将继续保持。

相比台积电和三星,半导体领域的另一个玩家英特尔则显得更加落寞。目前英特尔仍然受困于7nm制程的量产,5nm更是遥遥无期。不过其首席技术官麦克迈克·梅伯里博士在今年的国际VLSI会议上称,希望英特尔能在5年之内实现GAA晶体管的量产。英特尔的晶圆产能主要服务于自己的产品,在技术上面临的压力显然没有台积电和三星大。

晶圆代工格局难变

在芯片荒席卷全球之际,整个制造业都受到了很大的影响,但对于半导体行业而言,确是另一股机遇。

7月12日,台积电公布了上一个月的营收,今年6月份台积电的营收达到了1484.71亿新台币,约343亿人民币,53亿美元,环比大增32.1%,同比增长22.8%,环比增长32.1%,这一创记录的营收或因大规模量产iPhone A15芯片。

根据上个月相关分析显示,苹果在上个月初就向台积电下发了大量的芯片订单,消息还称,苹果将从台积电获得到2021年第三季度A15芯片订单的优先供应权限,从而在缺芯的情况下,争取在9月如期发布iPhone 13系列。外界预计台积电第二季度营收将保持平稳增长态势,并有望实现2021年销售额增长20%的目标。

无论是从客户量还是营收上,台积电在晶圆代工行业的优势地位依然稳固,即使排名第二的三星电子,在客户量和营收上仍然差距巨大。

当2022年-2023年台积电与三星的3nm都量产时,双方的竞争将变得更加激烈,预计台积电在高端制程上仍然将占据优势,而在次旗舰和中低制程上三星将有更多的机会。至于半导体晶圆代工格局,短时间内仍然很难改变。

 

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